Терраэлектроника

STGW30NC120HD, ST Microelectronics

IGBT транзистор - [TO-247-3]; Примечание: IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes


STGW30NC120HD, ST Microelectronics

Параметры STGW30NC120HD

НаименованиеSTGW30NC120HD
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул450066
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги STGW30NC120HD, доступные на складе

  • Изображение  IRG7PH42UDPBF

    IRG7PH42UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRG7PH42UD1PBF

    IRG7PH42UD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT,N CH,DIODE,1200V,85A,TO-247AC

Изображения STGW30NC120HD

STGW30NC120HD, ST Microelectronics STGW30NC120HD, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
205,00 руб
от 7 шт. 179,50 руб
от 21 шт. 154,00 руб
от 45 шт. 141,00 руб
Наличие на складе
560 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом