Терраэлектроника

STGF10NB60SD, ST Microelectronics

IGBT транзистор - Примечание

IGBT, TO-220FP
Transistor TypeIGBT
DC Collector Current20A
Collector Emitter Voltage Vces1.8V
Power Dissipation Pd25W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Range-55°C to +150°C
Transistor Case
RoHS Compliant Yes


Параметры STGF10NB60SD

НаименованиеSTGF10NB60SD
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул450042
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
107,00 руб
от 14 шт. 93,50 руб
от 39 шт. 80,00 руб
от 100 шт. 73,50 руб
Наличие на складе
36 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом