Терраэлектроника

STB35NF10T4, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 100 В
Iс(25°C) 40 А
Rси(вкл) 30 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 20 В


STB35NF10T4, ST Microelectronics

Параметры STB35NF10T4

НаименованиеSTB35NF10T4
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул449839
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги STB35NF10T4, доступные на складе

  • Изображение  IRF1310NS

    IRF1310NS
    INFIN

    MOSFET, N D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:140A; Marking, SMD:IRF1310NS; Power Dissipation:160W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения STB35NF10T4

STB35NF10T4, ST Microelectronics STB35NF10T4, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
41,00 руб
от 35 шт. 36,00 руб
от 102 шт. 31,00 руб
от 221 шт. 28,50 руб
Наличие на складе
3 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом