Терраэлектроника

STB35NF10T4, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 100 В
Iс(25°C) 40 А
Rси(вкл) 30 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 20 В


STB35NF10T4, STMicroelectronics

Параметры STB35NF10T4

НаименованиеSTB35NF10T4
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул449839
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги STB35NF10T4, доступные на складе

  • Изображение  IRF1310NS

    IRF1310NS
    INFIN

    MOSFET, N D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:140A; Marking, SMD:IRF1310NS; Power Dissipation:160W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения STB35NF10T4

STB35NF10T4, STMicroelectronics STB35NF10T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
37,40 руб
от 36 шт. 32,70 руб
от 105 шт. 28,10 руб
от 228 шт. 25,80 руб
Наличие на складе
1003 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом