Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB35NF10T4, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 100 В
Iс(25°C) 40 А
Rси(вкл) 30 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 20 В


STB35NF10T4, STMicroelectronics

Параметры STB35NF10T4

НаименованиеSTB35NF10T4
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул449839
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги STB35NF10T4, доступные на складе

  • Изображение  IRFS4510PBF

    IRFS4510PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

  • Изображение  IRF1310NS

    IRF1310NS
    INFIN

    MOSFET, N D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:140A; Marking, SMD:IRF1310NS; Power Dissipation:160W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения STB35NF10T4

STB35NF10T4, STMicroelectronics STB35NF10T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
38,00 руб
от 35 шт. 33,30 руб
от 102 шт. 28,50 руб
от 222 шт. 26,20 руб
Наличие на складе
968 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом