Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB35NF10T4, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 100 В
Iс(25°C) 40 А
Rси(вкл) 30 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 20 В


STB35NF10T4, STMicroelectronics

Параметры STB35NF10T4

Наименование STB35NF10T4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 449839
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги STB35NF10T4, доступные на складе

  • Изображение  IRF1310NS

    IRF1310NS
    INFIN

    MOSFET, N D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:140A; Marking, SMD:IRF1310NS; Power Dissipation:160W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRFS4510PBF

    IRFS4510PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

Изображения STB35NF10T4

STB35NF10T4, STMicroelectronics STB35NF10T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
36,90 руб
от 94 шт. 31,60 руб
от 203 шт. 29,00 руб
Наличие на складе
1108 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом