Терраэлектроника

STB10NK60ZT4, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Примечание: MOSFET, N CH, 600V, 10A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):650mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating ;RoHS Compliant: Yes


STB10NK60ZT4, ST Microelectronics

Параметры STB10NK60ZT4

НаименованиеSTB10NK60ZT4
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул449811
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4, ST Microelectronics STB10NK60ZT4, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом