Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB10NK60ZT4, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Примечание: MOSFET, N CH, 600V, 10A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):650mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating ;RoHS Compliant: Yes


STB10NK60ZT4, STMicroelectronics

Параметры STB10NK60ZT4

Наименование STB10NK60ZT4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 449811
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

Изображения STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4, STMicroelectronics STB10NK60ZT4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом