Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6608, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

Полевой транзистор. 30V. 11.8A.


Параметры IRF6608

Наименование IRF6608
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 44889
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Документация для IRF6608

Аналоги IRF6608, доступные на складе

  • Изображение  IRF6608TR1

    IRF6608TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, ST; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:55A; Resistance, Rds On:9mohm; Case Style:ST; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:2120pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:33nC; Current, Idm Pulse:100A; Depth, External:4.85mm; IC Package (Case style):ST; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6608; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
128,00 руб
от 27 шт. 110,00 руб
от 59 шт. 101,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом