Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont82A
Resistance, Rds On0.013ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse280A
Marking, SMDIRF2807S
Power Dissipation200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds75V
Voltage, Vds Max75V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF2807S

Наименование IRF2807S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 44881
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF2807S, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF2807S

IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
86,00 руб
от 40 шт. 74,00 руб
от 100 шт. 67,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом