Терраэлектроника

PD20010-E, ST Microelectronics

RF транзистор - Тип: RF Power LDMOS, N-channel; Частота: 2 ГГц; Мощность: 10 Вт; Усиление: 11 дБ; Ucc: 13.6 В; КПД: 53 %


Параметры PD20010-E

НаименованиеPD20010-E
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул448600

Аналоги PD20010-E, доступные на складе

  • Изображение  PD20010TR-E

    PD20010TR-E
    ST

    RF транзистор - Тип: RF Power LDMOS, N-channel; Частота: 2 ГГц; Мощность: 10 Вт; Усиление: 11 дБ; Ucc: 13.6 В; КПД: 53 %

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1415,50 руб
от 3 шт. 1213,00 руб
от 6 шт. 1113,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом