Терраэлектроника

MJE802, ST Microelectronics

Биполярный транзистор - Примечание: DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes


Параметры MJE802

НаименованиеMJE802
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул448548
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом