Терраэлектроника

L6387ED013TR, ST Microelectronics

Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C


L6387ED013TR, ST Microelectronics

Параметры L6387ED013TR

НаименованиеL6387ED013TR
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул447099
Корпус
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Макс. выходной ток нарастания
Макс. напряжение смещения
Макс. выходной ток спада
Тmin,°C
Тмакс,°C

Документация для L6387ED013TR

Аналоги L6387ED013TR, доступные на складе

  • Изображение  L6387ED

    L6387ED
    ST

    Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C

Изображения L6387ED013TR

L6387ED013TR, ST Microelectronics L6387ED013TR, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
37,50 руб
Наличие на складе
1637 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом