Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

DA112S1RL, STMicroelectronics

Защитный диод -

Pрасс 730 мВт
Uогр(ном) 12 В
Uимп(макс) 18 В
Iраб 2 мкА
Iимп(макс) 12 А
Линий 6


DA112S1RL, STMicroelectronics

Параметры DA112S1RL

Наименование DA112S1RL
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 446642
Напряжение пробоя Мин
Импульсный ток Ippm
Напряжение ограничения (номинальное)
Тип
Количество линий
Рассеиваемая мощность пиковая
Кол-во выводов
Серия
Корпус
Ток утечки при рабочем напряжении, мкА

Аналоги DA112S1RL, доступные на складе

  • Изображение  DA112S1

    DA112S1
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Примечание: DIODE ARRAY; Траб: -55...150 °C

Средства разработки для DA112S1RL

  • Изображение  ATSAMDA1-XPRO

    ATSAMDA1-XPRO
    MCRCH

    The SAM DA1 Xplained Pro evaluation kit is ideal for evaluating and prototyping with the SAM DA1 ARM® Cortex®-M0+ based microcontrollers. Extension boards to the SAM DA1 Xplained Pro can be purchased individually. The ATSAMDA1-XPRO evaluation kit

Изображения DA112S1RL

DA112S1RL, STMicroelectronics DA112S1RL, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
81,50 руб
от 18 шт. 71,50 руб
от 50 шт. 61,00 руб
от 109 шт. 56,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом