Терраэлектроника

BUT30V, STMicroelectronics

Биполярный транзистор - Примечание: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 200V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:100A; DC Current Gain hFE:27; No. of Pins:4; No. of Transistors:1; Power (Ptot):250W ;RoHS Compliant: Yes


Параметры BUT30V

НаименованиеBUT30V
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул446541
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом