Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC20KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT TRANSISTOR POWER DISSIPATION

60W
P
Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max16A
Voltage, Vce Sat Max2.27V
Power Dissipation60W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed32A
Pins, No. of3
Power, Pd60W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ160ns
Time, Rise37ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC20KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC20KD

Наименование IRG4BC20KD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 44564
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус

Аналоги IRG4BC20KD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC20KDPBF

    IRG4BC20KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, N, 600V, 16A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:16A; Voltage, Vce Sat Max:2.8V; Power Dissipation:60W; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole

Изображения IRG4BC20KD

IRG4BC20KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
163,00 руб
от 22 шт. 140,00 руб
от 46 шт. 129,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом