Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP2NK60Z, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 1.26 А
Rси(вкл) 7.8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 7 нКл


STP2NK60Z, STMicroelectronics

Параметры STP2NK60Z

НаименованиеSTP2NK60Z
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул444761
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Изображения STP2NK60Z

STP2NK60Z, STMicroelectronics STP2NK60Z, STMicroelectronics STP2NK60Z, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом