Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STQ1HNK60R-AP, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 400 мА
Rси(вкл) 8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


Параметры STQ1HNK60R-AP

Наименование STQ1HNK60R-AP
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 442114
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
17,50 руб
от 196 шт. 15,00 руб
от 427 шт. 13,80 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом