Терраэлектроника

STQ1HNK60R-AP, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 400 мА
Rси(вкл) 8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


Параметры STQ1HNK60R-AP

НаименованиеSTQ1HNK60R-AP
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул442114
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
23,50 руб
от 58 шт. 20,50 руб
от 169 шт. 17,50 руб
от 368 шт. 16,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом