Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STQ1HNK60R-AP, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 400 мА
Rси(вкл) 8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


Параметры STQ1HNK60R-AP

Наименование STQ1HNK60R-AP
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 442114
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
21,20 руб
от 66 шт. 18,50 руб
от 190 шт. 15,90 руб
от 414 шт. 14,60 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом