Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NTR1P02T1G, On Semiconductor

Small Signal MOSFET 20V 1A 180 mOhm Single P-Channel SOT-23


NTR1P02T1G, On Semiconductor

Параметры NTR1P02T1G

Наименование NTR1P02T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 438091
Тмакс,°C
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Рассеиваемая мощность

Аналоги NTR1P02T1G, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
5,10 руб
от 680 шт. 4,40 руб
от 1480 шт. 4,00 руб
Наличие на складе
5894 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом