Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NTR1P02T1G, On Semiconductor

Small Signal MOSFET 20V 1A 180 mOhm Single P-Channel SOT-23


NTR1P02T1G, On Semiconductor

Параметры NTR1P02T1G

Наименование NTR1P02T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 438091
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги NTR1P02T1G, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
6,10 руб
от 240 шт. 5,30 руб
от 680 шт. 4,60 руб
от 1480 шт. 4,20 руб
Наличие на складе
2894 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом