Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NTMFS4833NT3G, On Semiconductor

MOSFET транзистор


Параметры NTMFS4833NT3G

Наименование NTMFS4833NT3G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 438086
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги NTMFS4833NT3G, доступные на складе

  • Изображение  BSC020N03LSGATMA1

    BSC020N03LSGATMA1
    INFIN

    MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8

  • Изображение  BSC057N03LSGATMA1

    BSC057N03LSGATMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…

  • Изображение  NTMFS4833NT1G

    NTMFS4833NT1G
    ONS

    MOSFET, N CH, 30V, 191A, SO-8FL

  • Изображение  BSC025N03LSGATMA1

    BSC025N03LSGATMA1
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом