Терраэлектроника

NSS20101JT1G, On Semiconductor

20 V, 1.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor


Параметры NSS20101JT1G

НаименованиеNSS20101JT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул437938
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
4,20 руб
от 400 шт. 3,70 руб
от 1100 шт. 3,10 руб
от 2200 шт. 2,90 руб
Наличие на складе
2752 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом