Терраэлектроника

MMBZ15VALT1G, On Semiconductor

15 V Dual Common Anode Zener Diode Transient Voltage Suppressor


MMBZ15VALT1G, On Semiconductor

Параметры MMBZ15VALT1G

НаименованиеMMBZ15VALT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул435971
Рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Количество линий
Ток утечки при рабочем напряжении
Корпус
Серия
Тип
Обратное напряжение Vrwm
Кол-во выводов
Напряжение пробоя Мин
Напряжение пробоя Макс
Пиковое рассеяние мощности

Аналоги MMBZ15VALT1G, доступные на складе

  • Изображение  ESDA14V2LY

    ESDA14V2LY
    ST

    Защитный диод - [SOT-23-3]

  • Изображение  ESDA14V2L

    ESDA14V2L
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Защитный диод - [SOT-23-3]; Pрасс(пик): 300 Вт; Uраб: 12 В; Uогр(ном): 14.2 В; Iраб: 20 мкА; Линий: 2

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,80 руб
от 800 шт. 1,50 руб
от 2400 шт. 1,30 руб
от 6000 шт. 1,20 руб
Наличие на складе
44125 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом