Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD47T4G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJD47T4G, On Semiconductor

Параметры MJD47T4G

Наименование MJD47T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 435768
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD47T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD50T4G

    MJD50T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:15W; DC Current Gain Min (hfe):150

Изображения MJD47T4G

MJD47T4G, On Semiconductor MJD47T4G, On Semiconductor MJD47T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом