Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD47T4G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJD47T4G, On Semiconductor

Параметры MJD47T4G

Наименование MJD47T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 435768
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

Аналоги MJD47T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD50T4G

    MJD50T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:15W; DC Current Gain Min (hfe):150

Изображения MJD47T4G

MJD47T4G, On Semiconductor MJD47T4G, On Semiconductor MJD47T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом