Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD47G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJD47G, On Semiconductor

Параметры MJD47G

Наименование MJD47G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 435767
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD47G, доступные на складе

  • Изображение  MJD50T4G

    MJD50T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:15W; DC Current Gain Min (hfe):150

Изображения MJD47G

MJD47G, On Semiconductor MJD47G, On Semiconductor MJD47G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом