Терраэлектроника

BSP52T3G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


BSP52T3G, On Semiconductor

Параметры BSP52T3G

НаименованиеBSP52T3G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул433218
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов

Аналоги BSP52T3G, доступные на складе

  • Изображение  BSP52T1G

    BSP52T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.3V; DC Current Gain Min (hfe):2000; Package/Case:SOT-223

Изображения BSP52T3G

BSP52T3G, On Semiconductor BSP52T3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом