Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BSP52T3G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


BSP52T3G, On Semiconductor

Параметры BSP52T3G

Наименование BSP52T3G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 433218
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов

Аналоги BSP52T3G, доступные на складе

  • Изображение  BSP52T1G

    BSP52T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.3V; DC Current Gain Min (hfe):2000; Package/Case:SOT-223

Изображения BSP52T3G

BSP52T3G, On Semiconductor BSP52T3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом