Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD139G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


BD139G, On Semiconductor

Параметры BD139G

Наименование BD139G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 433177
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD139G, доступные на складе

  • Изображение  BD139-10

    BD139-10
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

  • Изображение  BD139-16

    BD139-16
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 100...250

  • Изображение  BD139

    BD139
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом