Терраэлектроника

BD139G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


BD139G, On Semiconductor

Параметры BD139G

НаименованиеBD139G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул433177
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD139G, доступные на складе

  • Изображение  BD139

    BD139
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом