Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N6667G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


2N6667G, On Semiconductor

Параметры 2N6667G

Наименование 2N6667G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 432901
Коэффициент усиления по току hFE
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус

Изображения 2N6667G

2N6667G, On Semiconductor 2N6667G, On Semiconductor 2N6667G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом