Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N6667G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


2N6667G, On Semiconductor

Параметры 2N6667G

Наименование2N6667G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул432901
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE

Изображения 2N6667G

2N6667G, On Semiconductor 2N6667G, On Semiconductor 2N6667G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом