Терраэлектроника

2N6667G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


2N6667G, On Semiconductor

Параметры 2N6667G

Наименование2N6667G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул432901
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Изображения 2N6667G

2N6667G, On Semiconductor 2N6667G, On Semiconductor 2N6667G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом