Терраэлектроника

IRGP20B120UD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 1200V. 40A.


IRGP20B120UD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP20B120UD-E

НаименованиеIRGP20B120UD-E
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул42891

Аналоги IRGP20B120UD-E, доступные на складе

  • Изображение  IRGP20B120UD-EP

    IRGP20B120UD-EP
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Power Dissipation:300W; Case Style:TO-247AD; Termination Type:Through Hole

Изображения IRGP20B120UD-E

IRGP20B120UD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP20B120UD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
817,00 руб
от 2 шт. 715,00 руб
от 5 шт. 613,00 руб
от 11 шт. 563,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом