Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6607, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

Полевой транзистор. 30V. 27A.


Параметры IRF6607

Наименование IRF6607
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 42172
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)

Документация для IRF6607

Аналоги IRF6607, доступные на складе

  • Изображение  IRF6607TR1

    IRF6607TR1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:95A; Resistance, Rds On:4.4mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:6930pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:54nC; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6607; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
355,00 руб
от 10 шт. 304,00 руб
от 22 шт. 279,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом