Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; D


IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3710Z

Наименование IRF3710Z
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 42170
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRF3710Z, доступные на складе

  • Изображение  STP80NF12

    STP80NF12
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 120 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 18 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл

  • Изображение  IRF3710ZPBF

    IRF3710ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

Изображения IRF3710Z

IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
109,00 руб
от 32 шт. 93,50 руб
от 69 шт. 85,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом