Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; D


IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3710Z

НаименованиеIRF3710Z
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул42170
Rds(on)
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение затвора
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRF3710Z, доступные на складе

  • Изображение  STP80NF12

    STP80NF12
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 120 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 18 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл

  • Изображение  IRF3710ZPBF

    IRF3710ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

Изображения IRF3710Z

IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3710Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
124,00 руб
от 11 шт. 109,00 руб
от 32 шт. 92,50 руб
от 69 шт. 85,00 руб
Наличие на складе
10 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом