Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP30B60KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 60A.


IRGP30B60KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP30B60KD-E

Наименование IRGP30B60KD-E
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 41132
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRGP30B60KD-E, доступные на складе

  • Изображение  IRGP30B60KD-EP

    IRGP30B60KD-EP
    INFIN

    IGBT, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:60A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V; Case Style:TO-247AD; Current, Icm Pulsed:120A; Power, Pd:304W; Time, Rise:39ns; Voltage, Vceo:600V

Изображения IRGP30B60KD-E

IRGP30B60KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP30B60KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
384,00 руб
от 9 шт. 330,00 руб
от 20 шт. 303,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом