Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4IBC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220 FULLPAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max17A
Voltage, Vce Sat Max1.95V
Power Dissipation45W
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise21ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4IBC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4IBC30UD

НаименованиеIRG4IBC30UD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул40588
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4IBC30UD, доступные на складе

  • Изображение  STGF7NC60HD

    STGF7NC60HD
    ST

    IGBT транзистор -

  • Изображение  IRG4IBC30UDPBF

    IRG4IBC30UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 17A, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:17A; Voltage, Vce Sat Max:1.95V; Power Dissipation:45W; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:92A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
240,00 руб
от 6 шт. 210,00 руб
от 17 шт. 180,00 руб
от 36 шт. 166,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом