Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

RFP50N06, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont50A
Resistance, Rds On0.022ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse120A
Device MarkingRFP50N06
Pins, No. of3
Power Dissipation131W
Power, Pd131W
Resistance, Rds on Max0.022ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max4V


RFP50N06, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры RFP50N06

Наименование RFP50N06
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 40197
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги RFP50N06, доступные на складе

  • Изображение  STP55NF06

    STP55NF06
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 50 А; Rси(вкл): 22 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 45 нКл

  • Изображение  FQP50N06

    FQP50N06
    FAIR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:200A; Device Marking:FQP50N06; Pins, No.…

Изображения RFP50N06

RFP50N06, Fairchild Semiconductor Corp. RFP50N06, Fairchild Semiconductor Corp. RFP50N06, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
55,00 руб
от 25 шт. 48,20 руб
от 73 шт. 41,30 руб
от 159 шт. 37,90 руб
Наличие на складе
107 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом