Терраэлектроника

IRGP35B60PD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 40A.


IRGP35B60PD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP35B60PD

НаименованиеIRGP35B60PD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул40089
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGP35B60PD, доступные на складе

  • Изображение  STGW30NC60WD

    STGW30NC60WD
    ST

    IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 80 нс; Диод Uпад: 1.6 В

  • Изображение  IRGP35B60PD-EP

    IRGP35B60PD-EP
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRGP35B60PDPBF

    IRGP35B60PDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V;…

  • Изображение  IRGB20B60PD1PBF

    IRGB20B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

Изображения IRGP35B60PD

IRGP35B60PD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP35B60PD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
478,00 руб
от 3 шт. 418,50 руб
от 9 шт. 358,50 руб
от 20 шт. 329,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом