Терраэлектроника

HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.

IGBT, 1200V, 21A

Transistor TypeNPT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max21A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation167W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C


HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры HGTG5N120BND

НаименованиеHGTG5N120BND
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул39717
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Изображения HGTG5N120BND

HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp. HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
155,00 руб
от 9 шт. 135,00 руб
от 30 шт. 116,00 руб
от 60 шт. 107,00 руб
Наличие на складе
248 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом