Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.

IGBT, 1200V, 21A

Transistor TypeNPT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max21A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation167W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C


HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры HGTG5N120BND

Наименование HGTG5N120BND
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 39717
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения HGTG5N120BND

HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp. HGTG5N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
150,00 руб
от 10 шт. 132,00 руб
от 30 шт. 113,00 руб
от 60 шт. 104,00 руб
Наличие на складе
216 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом