Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 75A.


IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP50B60PD1

Наименование IRGP50B60PD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 38978
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRGP50B60PD1, доступные на складе

  • Изображение  IRGP50B60PD1PBF

    IRGP50B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 75A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:75A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

  • Изображение  IRGP50B60PD1-EP

    IRGP50B60PD1-EP
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRGP50B60PD1

IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
703,00 руб
от 2 шт. 615,00 руб
от 6 шт. 527,00 руб
от 13 шт. 484,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом