Терраэлектроника

IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 75A.


IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP50B60PD1

НаименованиеIRGP50B60PD1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул38978

Аналоги IRGP50B60PD1, доступные на складе

  • Изображение  IRGP50B60PD1-EP

    IRGP50B60PD1-EP
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRGP50B60PD1PBF

    IRGP50B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 75A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:75A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

Изображения IRGP50B60PD1

IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP50B60PD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
691,00 руб
от 2 шт. 604,50 руб
от 6 шт. 518,00 руб
от 13 шт. 475,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом