Терраэлектроника

IRGB10B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 22 А


IRGB10B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB10B60KD

НаименованиеIRGB10B60KD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул38796
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGB10B60KD, доступные на складе

  • Изображение  IRGB10B60KDPBF

    IRGB10B60KDPBF
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  STGP14NC60KD

    STGP14NC60KD
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 61 нс; Диод Uпад: 1.8 В

Изображения IRGB10B60KD

IRGB10B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB10B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB10B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
91,50 руб
от 16 шт. 80,00 руб
от 50 шт. 68,50 руб
от 100 шт. 63,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом