Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 13A.


IRGB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB6B60KD

Наименование IRGB6B60KD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 38598
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRGB6B60KD, доступные на складе

  • Изображение  IRGB6B60KDPBF

    IRGB6B60KDPBF
    INFIN

    IGBT, 600V, 13A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:13A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…

Изображения IRGB6B60KD

IRGB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
93,50 руб
от 37 шт. 80,00 руб
от 80 шт. 73,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом