Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGIB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 9.0A.


IRGIB6B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGIB6B60KD

Наименование IRGIB6B60KD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 37173
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGIB6B60KD, доступные на складе

  • Изображение  IRGIB6B60KDPBF

    IRGIB6B60KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 9A, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:9A; Voltage, Vce Sat Max:2.2V;…

  • Изображение  IRGIB6B60KD116P

    IRGIB6B60KD116P
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
50,00 руб
от 29 шт. 43,80 руб
от 82 шт. 37,60 руб
от 200 шт. 34,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом