Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGB15B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 31 А


IRGB15B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB15B60KD

Наименование IRGB15B60KD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 37172
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGB15B60KD, доступные на складе

  • Изображение  STGP14NC60KD

    STGP14NC60KD
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 61 нс; Диод Uпад: 1.8 В

  • Изображение  IRGB15B60KDPBF

    IRGB15B60KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
153,00 руб
от 9 шт. 134,00 руб
от 26 шт. 115,00 руб
от 50 шт. 105,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом