Терраэлектроника

IRGB15B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 31 А


IRGB15B60KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB15B60KD

НаименованиеIRGB15B60KD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул37172
Напряжение насыщения К-Э
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRGB15B60KD, доступные на складе

  • Изображение  STGP14NC60KD

    STGP14NC60KD
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 61 нс; Диод Uпад: 1.8 В

  • Изображение  IRGB15B60KDPBF

    IRGB15B60KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
161,50 руб
от 9 шт. 141,00 руб
от 26 шт. 121,00 руб
от 50 шт. 111,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом