Терраэлектроника

IRFL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont2.7A
Resistance, Rds On0.16ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ190pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C64nC
Current, Iar1.7A
Current, Idm Pulse15A
Current, Idss Max1.0чA
Depth, External7.3mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear0.1mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas48mJ
Gfs, Min1.6A/V
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDFL014N
Power Dissipation1.0W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB1.0W
Power, Pd1W
Power, Ptot2.1W
Resistance, Rds on Max0.16ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, Fall3.3ns
Time, Rise7.1ns
Time, trr Typ41ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V
Weight0.00012kg
Width, External6.7mm
Width, Tape12mm
dv/dt5.0V/ns


IRFL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFL014N

НаименованиеIRFL014N
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул37115

Аналоги IRFL014N, доступные на складе

  • Изображение  IRFL014NTRPBF

    IRFL014NTRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:1.9A; On Resistance, Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:223-SOT; Power Dissipation, Pd:2.1W

  • Изображение  IRFL014NPBF

    IRFL014NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:190pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:64nC; Current, Iar:1.7A; Current, Idm Pulse:15A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:7.3mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:0.1mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:48mJ; Gfs, Min:1.6A/V; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL014N; Power Dissipation:1.0W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения IRFL014N

IRFL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,00 руб
от 34 шт. 37,50 руб
от 80 шт. 32,00 руб
от 240 шт. 29,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом