Терраэлектроника

IRF7606, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P MICRO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On0.09ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleMicro8
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ520pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C50nC
Current, Idm Pulse19A
Depth, External5.03mm
Gfs, Min2.3A/V
Length / Height, External1.11mm
Marking, SMD7606
Pins, No. of8
Pitch, Lead0.65mm
Pitch, Row4.24mm
Power Dissipation1.8W
Power, Pd1.8W
Resistance, Rds on Max0.09ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, trr Typ43ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Min-1V
Width, External3.05mm
dv/dt5.0V/ns


IRF7606, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7606

НаименованиеIRF7606
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул37101

Документация для IRF7606

Аналоги IRF7606, доступные на складе

Изображения IRF7606

IRF7606, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7606, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7606, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
133,00 руб
от 11 шт. 116,50 руб
от 32 шт. 100,00 руб
от 69 шт. 91,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом