Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7603, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N MICRO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont5.6A
Resistance, Rds On0.135ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleMicro8
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ520pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C87nC
Current, Idm Pulse30A
Depth, External5.03mm
Gfs, Min4.3A/V
Length / Height, External1.11mm
Marking, SMD7603
Pins, No. of8
Pitch, Lead0.65mm
Pitch, Row4.24mm
Power Dissipation1.8W
Power, Pd1.8W
Resistance, Rds on Max0.135ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, trr Typ53ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Min1V
Width, External3.05mm
dv/dt5.0V/ns


IRF7603, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7603

Наименование IRF7603
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 37099
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF7603, доступные на складе

Изображения IRF7603

IRF7603, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7603, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7603, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
117,00 руб
от 12 шт. 103,00 руб
от 35 шт. 87,50 руб
от 75 шт. 80,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом