Терраэлектроника

IRF7501, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, DUAL NN MICRO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityDual N
Current, Id Cont2.4A
Resistance, Rds On0.135ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Case StyleMicro8
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse19A
Depth, External5.03mm
Length / Height, External1.11mm
Marking, SMDF7501
Pins, No. of8
Pitch, Lead0.65mm
Pitch, Row4.24mm
Power Dissipation1.25W
Power, Pd1.25W
Resistance, Rds on Max0.135ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of2
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Min0.7V
Width, External3.05mm


IRF7501, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7501

НаименованиеIRF7501
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул37090

Документация для IRF7501

Аналоги IRF7501, доступные на складе

  • Изображение  IRF7501TRPBF

    IRF7501TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:2.4A; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.2W; Drain Source On Resistance @ 2.7V:200mohm

  • Изображение  IRF7501TR

    IRF7501TR
    INFIN

    MOSFET: N + N, 20 В, Q1: N, 135mΩ / 4.5V, Q2: N, 135mΩ / 4.5V

Изображения IRF7501

IRF7501, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7501, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
101,00 руб
от 15 шт. 88,00 руб
от 42 шт. 75,50 руб
от 90 шт. 69,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом