Терраэлектроника

BSS84.215, NXP SEMICONDUCTORS

low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Field Effect Transistors


BSS84.215, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BSS84.215

НаименованиеBSS84.215
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул36530
Корпус
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги BSS84.215, доступные на складе

  • Изображение  BSS84LT1G

    BSS84LT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P, 50V, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-50V; Current, Id Cont:0.13A; Resistance, Rds On:10ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-5V;…

  • Изображение  BSS84

    BSS84
    FAIR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-50V; Current, Id Cont:0.13A; Resistance, Rds On:10ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:0.52A; Depth, External:2.5mm; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:SP; Pins, No.…

Изображения BSS84.215

BSS84.215, NXP SEMICONDUCTORS BSS84.215, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
3,10 руб
от 500 шт. 2,70 руб
от 1400 шт. 2,30 руб
от 3000 шт. 2,10 руб
Наличие на складе
10939 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом