Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPW60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

600V CoolMOS C6 -поколения, RDS 99 mOhm


Параметры IPW60R099C6

Наименование IPW60R099C6
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 364681
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IPW60R099C6, доступные на складе

  • Изображение  STW34NM60N

    STW34NM60N
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 29 А; Rси(вкл): 0.097...0.11 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 25 В

  • Изображение  IPW60R099C6FKSA1

    IPW60R099C6FKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом