Терраэлектроника

MJD112T4G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


MJD112T4G, On Semiconductor

Параметры MJD112T4G

НаименованиеMJD112T4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул362698
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD112T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD112T4

    MJD112T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

  • Изображение  MJD112G

    MJD112G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…

Изображения MJD112T4G

MJD112T4G, On Semiconductor MJD112T4G, On Semiconductor MJD112T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом