Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFU3910, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.115ohm
Case StyleTO-251 (I-Pak)
Current, Idm Pulse60A
Length, Lead9.65mm
Marking, SMDIRFU3910
Pitch, Lead2.28mm
Power Dissipation79W
Power, Pd79W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, t Off25ns
Time, t On27ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFU3910, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFU3910

Наименование IRFU3910
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 36165
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFU3910, доступные на складе

  • Изображение  IRFU3910PBF

    IRFU3910PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:16A; Resistance, Rds On:0.115ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:I-PAK; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:I-PAK; Current, Idm Pulse:60A; Length, Lead:9.65mm; Marking, SMD:IRFU3910; Pitch, Lead:2.28mm; Power Dissipation:79W; Power, Pd:79W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.4°C/W; Time, t Off:25ns; Time, t On:27ns; Transistors, No.…

Изображения IRFU3910

IRFU3910, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU3910, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU3910, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,30 руб
от 42 шт. 29,20 руб
от 123 шт. 25,00 руб
от 267 шт. 23,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом