Терраэлектроника

MJE350G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJE350G, On Semiconductor

Параметры MJE350G

НаименованиеMJE350G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул360854
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MJE350G, доступные на складе

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    MULTCMP

    TRANSISTOR, PNP, TO-126

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 300 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс: 20 Вт; h21: от 30

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    ONS

    TRANSISTOR, PNP TO-126; Transistor Type:Power General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:300V; Current, Ic Continuous a Max:0.5A; Hfe, Min:30; Case Style:TO-126; Current, Ic Max:0.5A; Current, Ic hFE:0.05A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,20 руб
от 67 шт. 17,70 руб
от 194 шт. 15,20 руб
от 500 шт. 13,90 руб
Наличие на складе
275 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом