Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJE350G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJE350G, On Semiconductor

Параметры MJE350G

НаименованиеMJE350G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул360854
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

Аналоги MJE350G, доступные на складе

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    MULTCMP

    TRANSISTOR, PNP, TO-126

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    ONS

    TRANSISTOR, PNP TO-126; Transistor Type:Power General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:300V; Current, Ic Continuous a Max:0.5A; Hfe, Min:30; Case Style:TO-126; Current, Ic Max:0.5A; Current, Ic hFE:0.05A; Pins, No.…

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 300 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс: 20 Вт; h21: от 30

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
21,40 руб
от 63 шт. 18,70 руб
от 181 шт. 16,10 руб
от 394 шт. 14,70 руб
Наличие на складе
206 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом