Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4615PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET 150V 35A 39mOhm 26nC


Параметры IRFB4615PBF

Наименование IRFB4615PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 355269
Конфигурация и полярность
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Тмакс,°C
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Номинальное напряжение Vgs
Корпус
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB4615PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4115PBF

    IRFB4115PBF
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

  • Изображение  IRFB4321PBF

    IRFB4321PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 150V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:83A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4321; Charge, Gate N-channel:71nC; Current, Idm Pulse:330A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
111,00 руб
от 13 шт. 97,00 руб
от 37 шт. 83,00 руб
от 79 шт. 76,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом