Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP4NK60Z, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 4 А
Rси(вкл) 2 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 18.8 нКл


STP4NK60Z, STMicroelectronics

Параметры STP4NK60Z

НаименованиеSTP4NK60Z
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул350777
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги STP4NK60Z, доступные на складе

  • Изображение  IPP60R1K4C6XKSA1

    IPP60R1K4C6XKSA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

  • Изображение  IRFBC30APBF

    IRFBC30APBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 600V, 3.6A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:14A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFBC30PBF

    IRFBC30PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:12A; Pins, No.…

Изображения STP4NK60Z

STP4NK60Z, STMicroelectronics STP4NK60Z, STMicroelectronics STP4NK60Z, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,70 руб
от 40 шт. 29,50 руб
от 100 шт. 25,30 руб
от 250 шт. 23,20 руб
Наличие на складе
1279 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом