Терраэлектроника

MMBZ18VALT1G, On Semiconductor

18 V Dual Common Anode Zener Diode Transient Voltage Suppressor


MMBZ18VALT1G, On Semiconductor

Параметры MMBZ18VALT1G

НаименованиеMMBZ18VALT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул350070
Рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Количество линий
Ток утечки при рабочем напряжении
Корпус
Серия
Тип
Обратное напряжение Vrwm
Кол-во выводов
Напряжение пробоя Мин
Напряжение пробоя Макс
Пиковое рассеяние мощности

Аналоги MMBZ18VALT1G, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,80 руб
от 800 шт. 1,60 руб
от 2300 шт. 1,40 руб
от 4900 шт. 1,30 руб
Наличие на складе
9480 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом