Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRLR8256PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET,N-CH 25V 81A DPAK

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ25V
Current, Id Cont25A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Pins, No. of3
Power, Pd63W
Voltage, Vgs th Max2.35V


Параметры IRLR8256PBF

НаименованиеIRLR8256PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул349419
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRLR8256PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPD33CN10NGATMA1

    IPD33CN10NGATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  IRLR8256TRPBF

    IRLR8256TRPBF
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLogic Level

  • Изображение  IPD180N10N3GBTMA1

    IPD180N10N3GBTMA1
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,20 руб
от 32 шт. 36,90 руб
от 75 шт. 31,70 руб
от 225 шт. 29,10 руб
Наличие на складе
159 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом