Терраэлектроника

STD2HNK60Z-1, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 2 А
Rси(вкл) 4.8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


STD2HNK60Z-1, STMicroelectronics

Параметры STD2HNK60Z-1

НаименованиеSTD2HNK60Z-1
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул349358
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z-1, STMicroelectronics STD2HNK60Z-1, STMicroelectronics STD2HNK60Z-1, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
9,60 руб
Наличие на складе
3860 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом